IGBT模块是有IGBT与FWD通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，是能源变换与传输的核心部件。也是变频电源内部最主要的核心部件之一，在内部有着重要的作用，今天中港扬盛的技术员来给大家讲讲
2021-12-28 06:25
的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。
2012-07-09 14:14
区，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
2012-07-25 09:49
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号的占空比
2012-07-04 17:05
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号
2012-07-06 15:47
）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。他没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT有三个端子，分别
2012-07-09 10:19
，即同相输入为高；反相输入为低；欠压保护功能无效；未检测到IGBT故障，无故障反馈信号或故障反馈信号已被清除。 根据上述输出控制功能，设计电路如图2。 图2 IGBT
2012-09-09 12:22
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IG
2012-07-09 11:53
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IG
2012-07-09 10:01
大洋合作电机公司合作开发的IPM模块，集成了驱动电路、保护电路和IGBT功率芯片等功能。这个压接式IPM模块，集成了散热、保护等功能的压接式模块，在系统集成过程中可以很方便实现。这是我们公司产品目录，可以
2012-09-17 19:22
