IGBT由栅极（G）、发射（E）和集电极（C）三个极控制。如图1，IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反
2023-02-24 10:56
IGBT模块是有IGBT与FWD通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，是能源变换与传输的核心部件。也是变频电源内部最主要的核心部件之一，在内部有着重要的作用，今天中港扬盛的技术员来给大家讲讲
2021-12-28 06:25
区，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT的开关
2012-07-25 09:49
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号的占空比
2012-07-04 17:05
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号
2012-07-06 15:47
igbt的驱动电路 图2 IGBT驱动电路 整个电路板的作用相当于一个光耦隔离放大电路。它的核心部分是芯片HCPL-316J，其中由控制器(DSP-TMS320F2812)产生
2008-10-21 09:38
的焊接。可以看到DBC和基板的空洞率。这样的就不会形成热积累，不会造成IGBT模块的损坏。第二种就是键合技术，我们公司用的键合技术是超声键合。实现数据变形。键合的作用主要是实现电气连接。在600安和
2012-09-17 19:22
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关
2012-07-09 11:53
）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。他没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后
2012-07-09 10:19
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关
2012-07-09 10:01
