本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 反相电压放大（共发射极（共源极）电路），输入电压（电流）增加，输出电压下降。是因为管压降低了，相当于管子的电阻小了，电流大了
2012-07-09 17:45
1、电压负载 在具有直流稳压大功率电路的应用中，通常首先考虑选择漏源电压VDS。这里的理由是，在实际工作环境中，MOSFET的最大峰值漏极-
2021-11-12 08:12
前面讨论过，单纯的考虑IDM电流没有意义，而是考虑最大漏极电流的持续时间。IDM和实际的应用最相关的状态就是系统发生短路，例如在电机控制应用 中，在一些恶劣条件下，由于机械的摩擦或碰触，绕组油漆局部
2016-08-24 16:02
基于Howland电流源的双极电流源
2019-07-26 06:15
领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。
2012-07-09 11:53
领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。
2012-07-09 10:01
区，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制
2012-07-25 09:49
1.肖特基二极管的电流源分析 电流源产生的电流流过正向肖特基二极管，此时系统的电压U为： 按题主的意思，肖特基二极
2021-12-31 06:26
1.题主的电流源分析 电流源产生的电流流过正向肖特基二极管，此时系统的电压U为： 按题主的意思，肖特基二极管是所谓“理想的”，因此它的正向电阻为零，于是有：
2022-01-03 06:56
本文记录以二极管连接的MOS作为负载的共源极放大器。1. 原理分析二极管连接的MOS管如下图所示。无论PMOS还是NMOS，当导通时，均工作在饱和区。等效电阻为Rx=V
2021-12-30 07:47
