` 本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-23 20:36 编辑 IGBT最近几年增长比较迅速，据相关部分统计2016年-2020年IGBT增长了8%，MOSFET增长仅5%。
2021-03-02 13:47
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的
2021-10-29 08:28
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、
2021-09-09 08:05
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
，因此，IGBT的高温特性更好，导通电压比MOSFET低。 IGBT适用于中到极高电流的传导和控制，而MOSFET适用于
2022-06-28 10:26
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
1. MOSFET、MESFET、MODFET有何区别？MOSFET是MOS(金属-氧化物-半导体) 做栅极MODFET/MESFET 是用金属-半导体接触(肖特基二极管)，用二极管做栅极，速度
2022-01-25 06:48
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 编辑 pwm高电平的时候，igbt导通，pwm低电平的时候，igbt截至。利用导通和截至分别给后面的电感和电容充电，这样既可以实现
2012-07-09 15:27
