上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进
2018-12-03 14:29
的是，MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，
2018-08-27 20:50
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区
2021-06-16 09:21
较低。这里的关键之处在于，为了从MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节。传导损耗需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大
2017-04-15 15:48
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXY
2025-03-25 13:43
的是，MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，
2019-03-06 06:30
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动，以充分获得低导通电阻。也就是说，两者的区别
2018-11-30 11:34
MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节。 传导损耗需谨慎 在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V
2020-06-28 15:16
功率二极管、晶闸管、mosfet、IGBT和功率IC的区别和应用
2019-10-24 09:19
表示该范围的导通电阻比SJ MOSFET低，虽然不能说是与IGBT同等，但Hybrid MOS大大改善了SJ MOSFET大电流范围的特性。5个项目分5个等级进行评估的
2018-11-28 14:25
