MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进
2018-12-03 14:29
的是，MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，
2018-08-27 20:50
较低。这里的关键之处在于，为了从MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节。传导损耗需谨慎在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大
2017-04-15 15:48
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区
2021-06-16 09:21
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进
2023-02-08 13:43
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXY
2025-03-25 13:43
的是，MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比业界目前使用的分立二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，
2019-03-06 06:30
和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与
2017-12-21 09:07
MOSFET转换到IGBT，必须对栅极驱动电路进行调节。 传导损耗需谨慎 在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600 V
2020-06-28 15:16
