，其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路及故障状态反馈电路，为驱动电路的可靠工作提供了保障。其特性为：兼容CMOS/TYL电平；光隔离，故障状态反馈；开关时间最大50
2012-09-09 12:22
是由Agilent公司生产的一种IGBT门极驱动光耦合器，其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路及故障状态反馈电路，为驱动电路
2009-09-04 11:37
比较器，提高电流检测的准确性。如果发生过流，驱动器EXB841的低速切断电路慢速关断IGBT，以避免集电极电流尖峰脉冲损坏IGBT器件。图7 采用
2009-01-21 13:06
源极（S）和栅极（G）。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测
2011-12-14 11:29
IGBT检测很实用
2013-08-05 17:10
错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。 对IGBT的过流检测保护分两种情况： （1）驱动电路中无保护功能。这时在主电路中要设置过
2011-08-17 09:46
波形，2#通道显示的是实际检测到电路中 IC5B 的第 7 脚的工作波形。比较图 2 和图 3 可以得出，该检测电路可以快速、有效地
2019-12-25 17:41
损坏、逆变桥的桥臂短路等。对IGBT的过流检测保护分两种情况：（1）驱动电路中无保护功能。这时在主电路中要设置过流检测器
2011-10-28 15:21
电感电流的给定波形，2#通道显示的是实际检测到电路中 IC5B 的第 7 脚的工作波形。比较图 2 和图 3 可以得出，该检测电路可以快速、有效地
2019-12-27 08:30
了功率管的开通和关断时间。利用集电极退饱和原理，D1、R6、R7和V2构成短路信号检测电路．其中D1采用快速恢复二极管，为了防止IGBT关断时其集电极上的高电压窜入驱动电路
2012-07-18 14:54
