IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关
2021-09-09 07:16
Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在
2012-07-25 09:49
aes加密破解难度，AES256/128 纯软件加解密时间效率测试–以Cortex-M0与M3 MCU为例一、测试环境与方法二、测试代码介绍（以AES256为例）三、测试结果与抓包截图AES软件源码库（C语言），包含全部CBC/CTR等模式，SHA、HMAC软件源码库（C语言）见链...
2021-08-09 07:33
-uGS和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力及du/dt电流等参数有不同程度的影响。其中门极正电压uGS的变化对IGBT的开通特性，负载短路能力和duGS/dt电流
2012-09-09 12:22
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGBT一般使用在大电流的场景。...
2021-10-29 08:28
官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。判断IGBT
2021-03-02 13:47
）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。他没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT有三个端子，分别
2012-07-09 10:19
可以封装成这种形式。有一种封装形式也是这一种，这两种主要差别是在于外观顶部的塔尖距离，都是高压设计。下面跟大家分享一下我们在应用大功率IGBT过程当中，结合我们封装技术，发现应用中的一些问题。我们可以
2012-09-17 19:22
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压
2011-08-17 09:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装,sg 本人常用。2，
2012-07-09 12:00
