。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO
2012-10-24 08:02
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）
2007-09-30 20:59
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、
2012-07-04 17:14
IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特
2009-06-20 08:37
GTR基板驱动电路性能的优劣台直接影响变换器的性能。采用性能优良的基极驱动电路．可以缩短GTR的开关时间．降低开关损耗，提高系统效率和
2010-05-05 08:47
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点？ GTO、GTR、MOSFET和
2023-10-19 17:01
本书在简析电力MOSFET和IGBT的基本工作原理、内部结构、主要参 数及其对驱动电路的要求的基础上介绍电力MOSFET及IG
2022-08-13 09:21
正确的二极管外，设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon损耗。降低驱动源阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗和EMI
2018-08-27 20:50
的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因
2017-07-04 10:51
