/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、
2012-07-04 17:14
1、驱动电路最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形，可加速GTR的开通过程，缩短关断时间，减小开关损耗。图1、反偏安全工作区图2、最优
2018-01-25 11:34
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但
2021-11-16 07:16
的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：详细的讲解，见附件。。。。。。MOSFET和IGBT 硬件驱动电路对比讲解1、MOSFE作为大功率器件的
2021-03-02 13:47
概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/IGBT
2021-05-18 07:25
, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET
2021-09-09 08:29
应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800
2019-10-30 15:23
`光电耦合器IGBT驱动TLP250的结构和使用方法，给出了其与功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件电路图。在阐述IRF840功率MOSFET的开关特性的基础上，设
2012-06-14 20:30
