IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控
2021-09-09 07:16
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是新一代全控型电力电子器件，具有M08场效应晶体管的电压控制、
2016-06-21 18:25
(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MO
2012-06-19 11:36
场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR
2021-11-16 07:16
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合
2021-09-09 08:29
、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点．是取代GTR的理想开关器件。IGB
2012-07-18 14:54
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,
2012-07-09 11:53
引言IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、
2021-09-09 09:02
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,
2012-07-09 10:01
集于一身， 具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动(MOSFET的优点)， 同时通态压降较低， 可以向高电压、大电流方向发展(GTR的优点)。因此， IGBT发展
2011-09-08 10:12
