IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控
2021-09-09 07:16
(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较
2012-06-19 11:36
场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，
2021-11-16 07:16
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合
2021-09-09 08:29
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但
2012-07-09 11:53
)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但
2012-07-09 10:01
IGBT（绝缘栅双极晶体管）生产和封装技术的革命性发展，拓宽了这种主力电源开关技术的应用范围。IGBT的基本概念是双极性（高电流密度）的开关
2018-12-03 13:47
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关
2018-12-04 10:14
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高
2021-03-29 11:00
的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E
2018-11-27 16:37
