IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，结合了绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）的特点。IG
2024-01-22 11:14
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式
2024-08-08 09:46
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控
2023-09-22 16:54
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体
2023-04-15 14:23
半导体场效应晶体管（MOSFET） 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 门极可关断晶闸管（GTO） 静电感应晶体管（SITH） 静电感应晶闸管（SITHT） MOS控制晶闸管（MCT） 集成门极换向晶闸管（IGCT） 碳化硅MOSFET（SiC MOSFET） 二、全控
2024-08-14 16:00
IGBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器件，由BJT(双极
2023-02-15 16:26
压接型IGBT器件内部各组件直接堆叠在一起，通过外部压力使得各组件间保持良好的机械与电气接触，进而引入一定比例的接触电阻和接触热阻，所以器件内部的压力分布不仅影响
2018-02-27 11:22
全桥型IGBT脉冲激光电源 摘要：文章介绍高压氙灯设计的IGBT脉冲式激光电源，详细阐述了工作原理、设计方法和仿真过程，并给出实验波形。其主电路
2009-07-27 08:41
本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择， 分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特点，根据其特点选择合
2019-07-17 08:45
IGBT等功率电子器件在工作中，由于自身的功率损耗，将引起IGBT温度升高。引起功率器件发热的原因主要有两个，一是功率器件
2024-07-19 11:21
