IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以
2010-07-20 09:55
由于门极-发射极连线电感LG、RG、还有Cies之间的关系，如果在门极驱动环路内发生震荡，有可能因为误动作和不饱和动作而导致元件损坏。
2024-01-25 09:11
IGBT元件往往采用多并联形式，因此如果某个IGBT元件发生故障，将会导致并联回路中的大量IGBT损坏。而常用的快速检测
2017-05-24 10:49
IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07
茂矽电子与富鼎先进将合作开发电动车（EV）高功率绝缘闸双极型电晶体（Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）元件。茂矽电子与富鼎先进联合申请的「绿能车用高功率IGBT
2013-01-10 09:14
电子发烧友网报道(文/李宁远)驱动这个话题一直是我们重点关注的领域，在众多驱动中，IGBT的驱动肯定是极具话题性的一类。IGBT驱动可以说直接决定了IGBT元件的性能能
2022-02-16 09:19
IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
2023-11-30 18:02
分立元件构成的IGBT驱动电路
2010-02-17 17:07
为让电子产品设计人员在最短时间内，完成新一代绝缘闸双极电晶体（IGBT）元件特性评估作业，功率半导体业者研发出更精密的线上设计工具，不仅能提供温度和频率等重要应用参数分析功能，更可协助工程师挑选出最适合的解决方案，提升功率级设计效率。
2013-08-15 09:59
对新能源车来说，最有提升空间的当属电机驱动部分，而电机驱动部分最核心的元件IGBT则是最需要重视的。
2018-03-05 16:35
