IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以
2010-07-20 09:55
由于门极-发射极连线电感LG、RG、还有Cies之间的关系，如果在门极驱动环路内发生震荡，有可能因为误动作和不饱和动作而导致元件损坏。
2024-01-25 09:11
IGBT选型参考一文介绍了IGBT元件的性能.参数
2016-06-17 16:57
IGBT元件往往采用多并联形式，因此如果某个IGBT元件发生故障，将会导致并联回路中的大量IGBT损坏。而常用的快速检测
2017-05-24 10:49
IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07
茂矽电子与富鼎先进将合作开发电动车（EV）高功率绝缘闸双极型电晶体（Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）元件。茂矽电子与富鼎先进联合申请的「绿能车用高功率IGBT
2013-01-10 09:14
想做个IGBT元件1MBH60的驱动电路，查了一下IGBT驱动电路全是驱动电压15V的，但这个的驱动电压应该就是5V（我看它的手册应该是这样），附件有我查到的datasheet。本人的模电基础比较烂
2019-02-22 03:51
IGBT元件的安装和热量的迅速传递。4、产品可靠性高，采用先进的焊接及检漏工艺，确保产品质量的可靠性和安全性。文章来源：中国电力电子产业网-IGBTIGBT模块散热器 区熔单晶 陶瓷覆铜板
2012-06-19 11:42
电子发烧友网报道(文/李宁远)驱动这个话题一直是我们重点关注的领域，在众多驱动中，IGBT的驱动肯定是极具话题性的一类。IGBT驱动可以说直接决定了IGBT元件的性能能
2022-02-16 09:19
分立元件构成的IGBT驱动电路
2010-02-17 17:07
