IGBT损耗计算和损耗模型研究：器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要。损耗模型主要分为两大类院基于物理结
2009-06-20 08:33
器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要遥损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的
2011-09-01 16:38
为精确计算光伏逆变器的IGBT损耗，指导系统热设计，提出了一种IGBT损耗精确计算的实用方法。以可视化的T程计算T具MathCAD为载体，基于SVPWM矢量控制原理，建
2017-12-08 10:36
2022-12-01 19:43
在任何装置中使用IGBT 都会遇到IGBT 的选择及热设计问题。当电压应力和电流应力这2 个直观参数确定之后， 最终需要根据IGBT 在应用条件下的损耗及热循环能力来选
2017-09-22 19:19
说明：IGBT 功率器件损耗与好多因素相关，比如工作电流，电压，驱动电阻。在出设计之前评估电路的损耗有一定的必要性。在确定好功率器件的驱动参数后（驱动电阻大小，驱动电压等），开关器件的
2023-02-22 14:05
的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化
2012-07-25 09:49
总结一些设计法则。 栅极电阻：其目的是改善控制脉冲上升沿和下降沿的斜率，并且防止寄生电感与电容振荡，限制IGBT集电极电压的尖脉冲值。 栅极电阻值小——充放电较快，能减小开关时间和开关损耗，增强工作
2011-08-17 09:26
-uGS和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力及du/dt电流等参数有不同程度的影响。其中门极正电压uGS的变化对IGBT的开通特性，负载短路能力和duGS/dt电流有较大
2012-09-09 12:22
引言IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断
2021-09-09 09:02
