1、拓扑说明 基于逆变器的拓扑进行IGBT的损耗计算，如下为三相全桥结构带N线的方式。调制方式为SPWM波形，针对IGBT2和DIODE2分析，输出电流为正弦波形，输出电压为电网电压。其中
2023-02-24 16:47
IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算IGBT的结温Tj，已成为大家普遍关注的
2019-08-13 08:04
1 引言 在任何装置中使用IGBT 都会遇到IGBT 的选择及热设计问题。当电压应力和电流应力这2 个直观参数确定之后, 最终需要根据IGBT 在应用条件下的损耗
2018-10-12 17:07
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* •
2022-07-27 10:27
电磁感应加热的原理是什么？有什么方法可以将电磁感应加热应用的IGBT功率损耗降至最低吗？
2021-05-10 06:41
效能。沟槽场截止降低IGBT静态损耗 搭载这项技术的组件效能主要由晶格尺寸、芯片厚度及掺杂分布等设计参数控制。设计人员透过调整这些参数，便能让组件在漂移区的高载子密度增加。此类组件提供低VCE(sat
2018-10-10 16:55
想要igbt的相关资料
2023-09-13 19:57
的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等
2018-11-27 16:37
、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。1导通
2018-08-27 20:50
，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别：关断损耗特性前面多次提到过，SiC功率元器件的开关特性优异，可处理
2018-12-03 14:29
