IGBT的开关频率不是算出来的，只能是在变频电源生产厂家生产时测试它工作的最高频率，正常时候，我们使用之前都需要先确定让其大概工作在多少频率段，并经过实验调整最终确定其频率的大小。
2023-02-26 11:09
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2017-05-10 16:37
本篇文章简单介绍IGBT工作时序及门极驱动计算方法，引入大电流驱动IC以及门极保护TVS，同时罗列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驱动电压，借此介绍非对称TVS新产品的实用性，欢迎感兴趣人士交流、沟通。
2023-12-21 13:48
图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P-区，沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。
2022-11-02 16:51
这是某产品输出特性曲线，可以看到IGBT工作区分为三个部分。
2023-11-03 08:53
IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理 通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨
2009-10-09 09:56
PWM控制型IGBT工作在斩波模式，使得IGBT本身自带干扰源属性，自扰与互扰系统中的其他设备。
2023-09-08 15:22
如下图，是IGBT产品典型的输出特性曲线，横轴是C，E两端电压，纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三个部分。
2022-12-16 15:29
，被广泛应用于交流调速、逆变器和电源等领域。然而，IGBT在实际应用中会出现一种现象，即IGBT的退饱和。 IGBT的退饱和指的是在IGBT
2024-02-19 14:33
在vdc=1200v下进行了短路试验，试验波形如图6所示。可见，在关断开通短路电流和通态短路电流时，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作区间内，有效地保护了
2017-05-16 16:15
