IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2017-05-10 16:37
这是某产品输出特性曲线，可以看到IGBT工作区分为三个部分。
2023-11-03 08:53
如下图，是IGBT产品典型的输出特性曲线，横轴是C，E两端电压，纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三个部分。
2022-12-16 15:29
在vdc=1200v下进行了短路试验，试验波形如图6所示。可见，在关断开通短路电流和通态短路电流时，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作区间内，有效地保护了
2017-05-16 16:15
正常IGBT的工作频率在10—20kHz，其开关速度比GTO、IGCT快得多。在交流电动机变频调速中，它是较好的选择。它在中小容量装置中淘汰功率双极晶体管（GTR）已成定论。IEGT在高电压领域中
2013-01-11 14:59
电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的首选功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动igbt工作，
2019-07-29 09:06
两个主要类型的功率晶体管：MOSFET和IGBT非常流行，它们在电源系统设计中已经使用了多年，因此，很容易假定它们之间的差异一直保持不变。本文通过解释最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用户能够更好地了解最能
2016-11-04 20:43
Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有异质结的管子功率特性。IGBT也是一个开关器件，可以在高电压和高电流条件下工作，并且被广泛应用于各种电力电子设备中。 IGBT由三个主要区域组成：N
2024-02-01 13:59
IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41
与IGBT间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏或散热片散热不良时将导致IGBT发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报
2017-05-23 15:17
