IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS
2011-07-14 11:18
本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 编辑 GBT 工作原理及应用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护引言绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管
2021-03-17 11:59
IGBT模块工作原理以及检测方法,希望会对大家有所帮助
2011-08-09 18:30
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 编辑 pwm高电平的时候，igbt导通，pwm低电平的时候，igbt截至。利用导通和截至分别给后面的电感和电容充电，这样既可以实现
2012-07-09 15:27
=FUQ，其中： F 为工作频率； U 为驱动输出电压的峰峰值； Q 为栅极电荷，可参考IGBT模块参数手册。 例如，常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V，负电压-9V
2012-07-25 09:49
。 绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor简称IGBT)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好
2012-09-09 12:22
降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常 工作于几十kHz频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示： IGBT 的静态特性一般用不到
2011-08-17 09:26
速度快和工作频率高等优点。但是，IGBT和其它电力电子器件一样，其应用还依赖于电路条件和开关环境。因此，IGBT的驱动和保护电路是电路设计的难点和重点，是整个装置运行的关
2021-09-09 09:02
IGBT的内部结构及特点：本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。IGBT
2021-11-16 07:16
就有可能造成电压会超出额定值6500V，我们必须确保工作过程中处于6500V以内，电压形成是通过这个公式计算出来的。主要因素是由于模块内部的集成电路以及线路母排电感，要小于额定值。这对于IGBT是非
2012-09-17 19:22
