领域得到了广泛的应用。 一、IGBT的结构与工作原理 IGBT是三端器件，三个极为漏极（D）、栅极（G）和源极（S）。 当栅极电压为正时，栅极下方的P型
2024-01-17 11:37
IGBT是双极型三极管和MOS管结合在一起的产物，双极型三极管具有低频（10KHz以下）大电流能力，MOSFET具有高频（100KHz以上）小电流特点。IGBT兼有两种器件的优点，电压控制驱动，通流能力强，频率最高可使用到100KHz，是中频段理想的功率器件。
2021-04-13 18:24
IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41
IGBT的结构和工作原理 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅
2010-03-04 15:55
本文首先介绍了IGBT概念及结构，其次介绍了IGBT工作原理及代换，最后介绍了它的应用领域。
2018-07-17 15:00
领域。本文将对IGBT的内部结构及工作原理进行详细介绍。 一、IGBT的内部结构
2024-01-10 16:13
igbt工作原理及应用 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的保护引言 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其
2008-06-19 09:45
IGBT的工作原理和结构 IGBT是一种三端子功率半导体器件，由N型外延层、P型衬底、N型缓冲层、P型集电区、N型发射区、栅极和发射极组成。
2024-07-25 10:16
IGBT由BJT (双极性三极管)和MOSFET (绝缘栅型场效应管)复合而成 BJT ( Bipolar Junction Transistor ) :双极性晶体管(晶体三极管)，“双极性"是指工作时有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电。
2023-07-27 10:12
IGBT的工作原理是什么? IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极
2010-03-05 11:43
