半导体器件。上次从IGBT的名称入手，搞清楚了IGBT栅极和双极性所包含的背后意义。这次我们从IGBT的定义出发，来看看为什么说
2023-02-10 15:33
性能。过流、过热和欠压检测是IPM中常见的三种自我保护功能。在本文中，我们将介绍该技术的一些基本概念，并了解IPM如何从可用的IGBT器件中获得最佳性能。 功率 BJT、MOSFET 和 IGBT
2023-02-24 15:29
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00
飞兆半导体的IGBT器件FGP20N6S2 （属于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（属于SuperF
2025-03-25 13:43
`大家一起上传IGBT并联应用 功率器件交流群：215670829（500人） `
2013-03-25 11:19
小IGBT居中居中，几十KHz简单，功耗小表 1 IGBT和其他高压器件的能能对比IGBT自20世纪70年代末发明以来，经过30余年的发展，几乎已成为逆变、电机驱动等应
2015-12-24 18:13
，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图
2012-06-19 11:36
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR
2012-07-25 09:49
本人本科时学过一点模电，对微电子理解不深。请教几个IGBT领域的问题：1、场截止层是如何起作用的：为什么加入场截止层之后需要的漂移区的厚度变薄而且还可以提高耐压？掺杂浓度较高的场截止层不是变相提升
2020-02-20 14:26
IGBT的使用方法IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件
2020-09-29 17:08
