IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。
2023-03-02 09:06
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。
2023-02-16 16:44
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。
2023-06-06 10:47
有关IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导
2013-04-16 10:04
IGBT， 中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件。
2018-07-24 15:03
变频器是一种静止的频率变换器，可将电网电源的50Hz频率交流电变成频率可调的交流电，作为电动机的电源装置，目前在国内外使用广泛。使用变频器可以节能、提高产品质量和劳动生产率等。
2023-08-28 15:43
尽管栅极上需要打开的驱动电流依不同器件会不太相同，但一般为所述器件额定电流的大约10%。如图4所示，满足所需的导通速度驱动该电流（源）快速到达栅极电容，并且在关断周期将这些电流导出（下沉），是开发完整电机驱动电路的最大的两个挑战。
2019-08-28 15:45
1.IGBT的基本结构 绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国
2010-05-27 17:29
IGBT的栅极-发射极电压VGE类似于MOSFET的栅极-源极电压VGS，集电极电流IC类似于漏极电流ID，集电极-发射极电压VCE类似于漏源电压VDS。
2023-02-14 13:50
IGBT——绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，顾名思义，是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合型功率
2022-12-22 09:39
