和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与
2017-12-21 09:07
在电力电子领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是两种非常重要的功率半导体器件。它们各自具有独特的工作原理、结构特点和应用场景。
2024-05-12 17:11
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT
2022-04-24 15:16
由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但是前提耐压能力没有IGBT强。
2018-07-24 10:25
由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。
2018-12-03 11:21
IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor） IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动
2017-05-14 11:10
IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为
2023-02-17 16:40
在电力电子技术的快速中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术以其高效、可靠的性能，成为众多领域的核心组件。从微小的IGBT芯片到复杂的IGBT器件，每一个组成部分都承载着
2024-10-15 15:23
