上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进
2018-12-03 14:29
封装内的二极管与特定应用匹配，极佳的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。后语：MOSFE和IGBT是没有本质区别的，人们常问的“是
2018-08-27 20:50
缺点。相反，由于IGBT组合封装内的二极管与特定应用匹配，极佳的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。后语MOSFE和IGBT是没有本质
2021-06-16 09:21
(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗
2025-03-25 13:43
开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET
2017-04-15 15:48
功率二极管、晶闸管、mosfet、IGBT和功率IC的区别和应用
2019-10-24 09:19
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路
2021-09-09 08:05
，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应
2020-07-19 07:33
的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。后语：MOSFE和IGBT是没有本质区别的，人们常问的“是MOSFET好还是IGB
2019-03-06 06:30
可能是个缺点。相反，由于IGBT组合封装内的二极管与特定应用匹配，极佳的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。 后语 MOSFE和IGBT是没有本质
2020-06-28 15:16
