1）。图1.与最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的开关速度明显更快，可在功率转换器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC
2023-02-22 16:34
在开启时提供此功能。实验验证表明，在高负载范围和低开关速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的电流源驱动与传统方法相比，导通损耗降低了26%。在电机驱动器等应用中，dv/dt 通常限制为 5V/ns
2023-02-21 16:36
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11
功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对IGBT的特性充分了解和
2012-03-29 14:07
现有IGBT 型号为H20R1202 要设计他的驱动电路，在哪里找资料？或者有没有设计过IGBT驱动电路的，能分享吗？现在有一个驱动MOSFET 的电路，可以用在IGBT
2016-04-01 09:34
大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试，调门极电阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38
应该选择怎样的电路，用MOSFET还是IGBT 呢
2012-11-16 10:53
应用，处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料，可以用来构建类似MOSFET的组件，使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今，Si
2023-02-24 15:03
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是电源应用中相当常见的器件，可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体（ON Semiconductor）所推出
2019-07-18 06:12
在本文中，我们将解释针对不同的应用和工作条件仔细选择IGBT变体如何提高整体系统效率。IGBT模块中的损耗大致可分为两类：传导开关众所周知，对于特定电压下的任何给定过程，降低传导损耗的努力将导致
2023-02-27 09:54
