半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关
2023-05-18 09:51
高频PCB板材：高可靠性、信号传输速度快
2023-11-02 10:26
速度快、精度高的取样和保存电路图
2009-07-02 13:12
功率半导体发展过程在半导体功率器件中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率二极管、功率三级管和晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、
2022-11-28 16:18
为什么半导体中的空穴没有电子的移动速度快？ 半导体中的空穴和电子是半导体中重要的载流子。在半导体材料中，空穴是由于半满能带中的电子被激发而留下的缺陷。这个缺陷可以看做一种正电荷，在电场作用下，空穴
2023-09-21 16:09
又称为NMOSFET与PMOSFET。 MOSFET是一个时代产物,他开关速度快/输入阻抗大/热稳定性好等等优点,已经成为工程师们的首选.如果非要说说MOSFE
2023-01-31 18:05
我们知道MOSFET的开关速度相对于三极管已经有相当大的改善，可以达到数百K，甚至上M；但我们想想，当我们需要MOSFET有
2010-12-23 11:23
Sic MOSFET的正栅压目前已经于Si IGBT相当(+15V) ,但负栅压仍有很大差别(-5V) ，Sic MOSFET开关
2023-04-17 10:57
EPFL研究人员已经开发出一种比当今最快的晶体管运行速度快十倍的器件。新设备的运行速度也比目前计算机中的晶体管快100倍左右。他们发明的纳米级设备能够产生高功率太赫兹波。
2020-03-28 14:12
