`1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前
2018-08-27 20:50
为适应电力电子装置高频化的要求，电压驱动型开关器件IGBT、MOSFET被广泛应用。这两种器件都是多子器件，无电荷存储效应，开关
2020-04-08 08:00
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 编辑 看USB3.0与SATA哪个速度快
2012-08-20 19:01
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关
2023-05-18 09:51
，但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可
2021-06-16 09:21
用FMSC读取flash的速度快还是用QSPI的速度更快
2023-10-12 07:11
KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度
2017-04-15 15:48
做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛
2025-03-25 13:43
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGB
2019-03-06 06:30
MOSFET 器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET 与功率晶体管之间，可正
2012-07-11 17:07
