`1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前
2018-08-27 20:50
KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度
2017-04-15 15:48
做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛
2025-03-25 13:43
,但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可
2021-06-16 09:21
,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别:关断损耗特性前面多次提到过,SiC功率元器件的
2018-12-03 14:29
与IGBT的比较中,开关特性与SJ MOSFET同样优异。Hybrid MOS可高速开关,而这是IGBT的弱点。只要能提
2018-11-28 14:25
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGB
2019-03-06 06:30
我们知道MOSFET的开关速度相对于三极管已经有相当大的改善,可以达到数百K,甚至上M;但我们想想,当我们需要MOSFET有
2010-12-23 11:23
生活中有各种各样的电源,其中就有一款叫高频开关电源系统,什么是高频开关电源系统?它有什么作用?高频开关电源(也称为开关型整流器SMR)是通过
2020-11-25 06:00
1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。 2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT
2020-06-28 15:16