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  • MOSFETIGBT的区别

    `1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前

    2018-08-27 20:50

  • 【技术】MOSFETIGBT区别?

    KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT开关速度

    2017-04-15 15:48

  • MOSFETIGBT的区别

    做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛

    2025-03-25 13:43

  • MOSFETIGBT的本质区别

    ,但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT开关速度

    2021-06-16 09:21

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    ,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别:关断损耗特性前面多次提到过,SiC功率元器件的

    2018-12-03 14:29

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    IGBT的比较中,开关特性与SJ MOSFET同样优异。Hybrid MOS可高速开关,而这是IGBT的弱点。只要能提

    2018-11-28 14:25

  • 一文解读mosfetigbt的区别

    1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGB

    2019-03-06 06:30

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    我们知道MOSFET开关速度相对于三极管已经有相当大的改善,可以达到数百K,甚至上M;但我们想想,当我们需要MOSFET

    2010-12-23 11:23

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    2020-11-25 06:00

  • MOSFETIGBT的本质区别在哪里?

    1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。  2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT

    2020-06-28 15:16