栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11
碳化硅（SiC）等宽带隙技术为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC
2023-02-22 16:34
IGBT和SiC MOSFET的电压源驱动和电流源驱动的dv/dt比较。VSD中的栅极电阻表示为Rg，控制CSD栅极电流的等效电阻表示为R奥特雷夫。 从图中可以明显看出，在较慢的开关速度（dv/dt
2023-02-21 16:36
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52
IGBT的开关损耗有巨大的贡献。SiC MOSFET不存在这种称为尾电流的效应，并且可以以更少的能量损失完成关断。 结论 本文讨论的参数和特性揭示了电力电子设计的某
2023-02-24 15:03
功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对IGBT的
2012-03-29 14:07
`请问igbt驱动电压是直流电压还是交流电压？`
2019-08-22 15:37
的导通能量损耗，并在电力电子学的典型模式下扩大开关元件的安全工作区域。使用硅IGBT可以优化器件的成本。这种减少损耗功率的频率相关分量的要求突出了改善IGBT频率特性的
2023-02-22 16:53
