前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特
2023-02-09 10:19
IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。
2010-11-09 17:04
大电流 Si IGBT 和小电流 SiC MOSFET 两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。为
2025-01-21 11:03
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种三端子的半导体开关器件，它结合了MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的高输入阻抗和BJT（双极型晶体管）的低导通压降特性
2024-05-01 15:07
IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id
2023-02-08 13:43
电力MOSFET开关概述及工作原理
2019-04-19 06:33
功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。
2023-02-17 16:40
的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。
2018-01-31 09:07
IGBT的低电磁干扰特性 IGBT是一种在功率电子领域中常用的晶体管器件。它由一个IGBT芯片和一个驱动电路组成，用于控制高电压和高电流的
2024-01-04 14:30
