，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别：关断损耗
2018-12-03 14:29
(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定
2025-03-25 13:43
、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬
2018-08-27 20:50
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异
2018-11-28 14:25
和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或
2021-06-16 09:21
MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗：除了IGBT的电压下
2017-04-15 15:48
和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬
2019-03-06 06:30
的输出特性相似．也可分为饱和区 1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1 结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区
2018-10-18 10:53
找到了市场突破点。 在不间断电源 (UPS) 、工业逆变器、功率控制、电机驱动、脉宽调制 (PWM) 、开关电源 (SMPS) 等开关应用中，MOSFET和IGBT因其
2022-06-28 10:26
MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。 导通损耗 除了IGBT的
2020-06-28 15:16
