，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的区别：关断损耗
2018-12-03 14:29
(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定
2025-03-25 13:43
关于IGBT、MOSFET、BJT的开关工作特性的基本思想 最近一直在弄实验室一个金属离子源的控制板，其中有一个模块需要完成一个恒流源的可控输出，其负载是金属离子源的远
2023-02-23 09:55
、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬
2018-08-27 20:50
基于属性相似度的决策树算法:针对ID3 算法的多值偏向问题，提出一种基于属性相似度的、能够避免多值偏向问题的ID3 改进算法——NewDtree 算法，并应用理论分析方法对NewDtree 算
2009-10-17 23:07
和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或
2021-06-16 09:21
MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗：除了IGBT的电压下
2017-04-15 15:48
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异
2018-11-28 14:25
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特
2023-02-09 10:19
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特
2018-11-28 14:29
