IGBT和MOSFET该用谁？你选对了吗？
2023-12-08 18:25
功率管，是由双极型三极管 (BJT) 和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻
2023-05-18 09:51
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率
2023-02-22 15:52
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上，它的密度是每平方毫米250.000个单元（50V功率MOS-FET）或者50.000单元（1200VIG
2020-05-02 17:47
MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET
2023-12-15 15:25
Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说，MOSFET更适合高频开关应用，而IGBT更适合
2023-10-17 14:46
智能功率模块（IPM）是一种功率半导体模块，可将操作IGBT所需的所有电路集成到一个封装中。它包括所需的驱动电路和保护功能，以及IGBT。这样，可以通过可用的
2023-02-02 14:39
东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET
2012-03-16 13:43
众所周知，SiC材料的特性和优势已被大规模地证实，它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一，因为在出现基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07
