众所周知，SiC材料的特性和优势已被大规模地证实，它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一，因为在出现基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07
两个主要类型的功率晶体管：MOSFET和IGBT非常流行，它们在电源系统设计中已经使用了多年，因此，很容易假定它们之间的差异一直保持不变。本文通过解释最新一代MOSFET
2016-11-04 20:43
铁路牵引变流器作为轨道交通车辆动力系统的核心部件，正朝着高可靠性、高功率密度和高效率方向发展。目前IGBT仍是铁路牵引领域的主流功率半导体器件，但是SiC
2025-09-23 09:26
IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的，目前也有了许多优秀的驱动集成电路。
2021-02-08 17:38
在做电力电子设计的朋友，经常会遇到一个选择题：IGBT和MOSFET，到底该用哪个?这两个器件都是“功率半导体”的代表选手，常出现在变频器、充电桩、电动汽车、电源模块等场景。但它们各自的“性格
2025-08-26 09:58 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
对于IGBT/MOSFET驱动器电气过应力测试（EOS测试），设置了一个非常接近真实条件的电路。该电路包括适合功率范围为5 kW至20 kW的逆变器的电容器和电阻器。对于轴向型栅极电阻Rg，使用2 W额定
2022-12-22 15:59
MOSFET 的优点是较高的开关频率，可以工作在百 kHz 到 MHz 之间；缺点是耐压低，在高电压、大电流应用中损耗非常大，因而限制了其应用。IGBT 的优点是导通压降小、耐压
2018-07-26 15:54
