概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/
2021-05-18 07:25
的功率MOSFET，从而形成垂直的PNP双极结型晶体管。该附加的p+区域产生PNP双极结型晶体管与表面n沟道MOSFET的级联连接。 IGBT将
2020-07-07 08:40
三极管的组合，MOSFET存在高压时导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。另外，相似
2021-03-02 13:47
`大家一起上传IGBT并联应用 功率器件交流群：215670829（500人） `
2013-03-25 11:19
功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具
2022-06-28 10:26
`光电耦合器IGBT驱动TLP250的结构和使用方法，给出了其与功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件电路图。在阐述IRF840功率
2012-06-14 20:30
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGB
2021-10-29 08:28
）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑
2012-07-06 15:56
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的
2016-10-10 10:58
