在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常使用，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，为什么有些电路中使用
2023-01-30 15:00
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用
2022-07-11 09:09
在电力电子领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是两种非常重要的功率半导体器件。它们各自具有独特的工作原理、结构特点和应用场景。本文将对IGBT和
2024-05-12 17:11
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用
2022-04-24 15:16
MOS管不只能够做开关电路，也能够做仿照拓宽，因为栅极电压在必定方案内的改动会致使源漏间导通电阻的改动。二者的首要差异便是：双极型管是电流操控器材（经过基极较小的电流操控较大的集电极电流），MOS管是电压操控器材（经过栅极电压操控源漏间导通电阻）。
2020-09-23 09:42
在低压下 igbt相对mos管在电性能和价格上都没有优势，所以基本上看不到低压igbt，并不是低压的造不出来，而是毫无性价比。在600v以上，igbt的优势才明显，电压
2017-05-24 09:19
减低；MOS就是MOSFET的简称了；IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通
2017-05-14 10:09
SCR的开关时间较长，所以频率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的开关频率较高。IGBT模块可达30KHZ左右，IGBT单管开关频率更高，达50KHZ以上。
2019-07-30 10:09
Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdmos是一种垂直结构
2024-09-29 09:49
