IGBT和SiC MOSFET的电压源驱动和电流源驱动的dv/dt比较。VSD中的栅极电阻表示为Rg，控制CSD栅极电流的等效电阻表示为R奥特雷夫。 从图中可以明显看出，在较慢的开关
2023-02-21 16:36
1）。图1.与最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的开关速度明显更快，可在功率转换器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真
2023-02-22 16:34
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01
功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对IGBT的特性充分了解和
2012-03-29 14:07
发生故障，仅仅是因为某些数字性溢出故障。 图1：超级结MOSFET (a)和IGBT (b)横截面，模型中包含嵌入式样品制程参数 图2：可从一个物理模型扩展(a) SuperFET CRSS(b
2019-07-19 07:40
现有IGBT 型号为H20R1202 要设计他的驱动电路，在哪里找资料？或者有没有设计过IGBT驱动电路的，能分享吗？现在有一个驱动MOSFET 的电路，可以用在IGBT
2016-04-01 09:34
谁能仔细阐述一下igbt是什么吗？
2019-08-22 15:20
