关于IGBT的内部寄生参数,产品设计时对IGBT的选型所关注的参数涉及到的寄生参数考虑的不是很多,对于其标称的电压、电流
2021-06-12 10:29
IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用
2023-02-07 15:39
IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用
2023-02-07 15:36
IGBT模块是一种常用的功率半导体器件,广泛应用于各种电力电子系统中。
2024-02-26 18:25
IGBT是电压控制型器件,它只有开关特性(通和断两种状态),没有放大特性。由IGBT等效电路可知,它是以晶体管为主导元件,以MOS管为驱动元件的达林顿结构。
2020-11-21 10:17
IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(GTR)相结合的产物。
2019-10-07 15:24
IGBT可以用指针式万用表和数字式万用表进行引脚识别和检测,检测前应先将IGBT三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度。
2020-11-13 17:13
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流
2017-12-14 15:56
IGBT模块采用吸收电路时,典型的关断电压波形如下图所示。从图中可以看出,初始浪涌电压△U1之后,随着吸收电容充电,瞬态电压再次上升。第二次上升峰值△U2是吸收电容和母线寄生电感的函数。
2024-08-05 14:48
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压
2017-05-25 08:55