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2021-11-15 08:51
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2019-03-05 06:00
3.1 设备简述 IGBT高压反偏试验是在一定温度条件(125℃)下,按照规定的时间和电压,对IGBT施加反偏电压,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。EN-320测试系统是专为
2018-08-29 21:20
IDDR与ODDR的简述RGMII时序简述千兆网输入与输出模块的设计测试模块的设计仿真测试结果总结
2021-01-22 06:09
简述SoC
2021-07-28 06:07
**Mosfet **和 IGBT 驱动对比的简介简述:一般中低马力的电动汽车电源主要用较低压(低于 72V)的电池组构成。由于需求的输出电流较高,因此市场上专用型的 Mosfet 模块并不
2022-09-16 10:21
简述H桥电机驱动原理与应用
2016-01-11 18:45
Simulink嵌入式自动代码DSP F28335(3)ePWM模块详解及应用例程简述1、模块介绍1.1 General界面1.2 ePWMA界面1.3 ePWMB界面1.4 Counter
2021-12-15 06:56
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR
2012-07-25 09:49
`我需要通过LC电路产生一个1200A,2.5KHz的脉冲电流,所加电压500V,电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制,初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16