IGBT等功率电子器件在工作中，由于自身的功率损耗，将引起IGBT温度升高。引起
2024-07-19 11:21
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物
2024-08-08 09:46
IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41
IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。
2014-08-05 09:42
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件
2023-09-22 16:54
IGBT 功率模块工作过程中存在开关损耗和导通损耗，这些损耗以热的形式耗散，使得在 IGBT 功率模块封装结构产生温度梯
2022-09-07 10:06
除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。
2021-05-24 06:07
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率
2024-01-09 18:06
