电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元
2019-03-27 06:20
IGBT的内部结构及特点：本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。IGBT
2021-11-16 07:16
【作者】：王丹;关艳霞;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性
2010-04-24 09:01
电动汽车、风能/太阳能逆变等所需的核心器件。2、IGBT特性简介图 1 功率MOSFET和IGBT结构示意图
2015-12-24 18:13
`大家一起上传IGBT并联应用 功率器件交流群：215670829（500人） `
2013-03-25 11:19
是安装不便，功率单元结构复杂，维护不如模块式方便。综合利弊，当电流大于200A（尤其是500A以上）的半导体器件上首选平板式结构，已经是业内共识，只是
2018-10-17 10:05
，形成导通沟道，如图中黄色区域所示。当VDS＞0V时，N-MOSFET管导通，器件工作。了解完以PNP为例的BJT结构和以N-MOSFET为例的MOSFET结构之后，我们再来看
2023-02-10 15:33
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元
2019-05-06 05:00
性能。过流、过热和欠压检测是IPM中常见的三种自我保护功能。在本文中，我们将介绍该技术的一些基本概念，并了解IPM如何从可用的IGBT器件中获得最佳性能。 功率 BJT、MOSFET 和
2023-02-24 15:29
领域。近几年来，已逐步有能用于逆变的RC IGBT出现，相信大功率的RC IGBT将很快进入商业化。图14 RC IGBT结构
2015-12-24 18:23
