IGBT等功率电子器件在工作中，由于自身的功率损耗，将引起IGBT温度升高。引起
2024-07-19 11:21
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物
2024-08-08 09:46
IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41
IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。
2014-08-05 09:42
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件
2023-09-22 16:54
电子发烧友网站提供《隔离驱动IGBT等功率器件的技巧.doc》资料免费下载
2023-11-14 14:21
【作者】：王丹;关艳霞;【来源】：《电子设计工程》2010年02期【摘要】：介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性
2010-04-24 09:01
IGBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器件，由BJT(双极型三极管)和MO
2023-02-15 16:26
