绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为电力电子领域中至关重要的元件，其关断过程的分析对于理解其性能和应用至关重要。IGBT结合了双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（MOSFET）的优势，具有导通特性好
2024-07-26 18:03
, MOSFET 的门极电压Vgs减小至Miller平台电压Vmr, 漏源电压Vds增大至Vds(max), 而漏源电流Ids保持不变. 由于Ib=Ids, BJT的集射极电流Ice受Ib控制, 所以,在IGBT关断td(off)和Δt
2018-12-22 12:41
绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性
2023-05-25 17:11
功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电力电子领域中的核心器件，其开通和关断过程原理对于理解其工作特性、设计高效电路以及确保系统稳定性至关重要。以下将对功率MOSFET的开通和关断过程原理进行详细阐述，内容涵盖MOSFET的基本结构、工作原理、开
2024-10-10 09:54
最近一直在说MOS管的知识，就有朋友留言说能具体说一下MOS管的导通和关断过程吗，那我们今天来说一下MOS管的导通和关断具体过程。
2023-03-26 16:15
晶体管的低导通压降特性，实现高电压、大电流的快速开关。 1.1 IGBT的导通过程 当栅极电压VGE大于阈值电压VGE(th)时，N型沟道形成，栅极电流流过沟道，使P型集电区与N型发射区之间形成导电通道，IGBT导通
2024-07-25 10:16
在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06
和门极组成。因其高电压和高电流开关能力，广泛应用于电力和电能控制器的控制中。 IGBT的导通和关断是通过控制门极电压来实现的。下文详细介绍IGBT的导通和关断条件，以及
2023-10-19 17:08
关断过电压钳位电路
2008-08-22 10:15
