, MOSFET 的门极电压Vgs减小至Miller平台电压Vmr, 漏源电压Vds增大至Vds(max), 而漏源电流Ids保持不变. 由于Ib=Ids, BJT的集射极电流Ice受Ib控制, 所以,在IGBT关断td(off)和Δt
2018-12-22 12:41
最近一直在说MOS管的知识，就有朋友留言说能具体说一下MOS管的导通和关断过程吗，那我们今天来说一下MOS管的导通和关断具体过程。
2023-03-26 16:15
在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06
IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少
2019-01-01 15:04
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设
2023-01-10 09:05
在光伏逆变器等大功率应用场合，主电路(直流电容到IGBT模块间)存在较大杂散电感(几十到数百nH)。IGBT关断时，集电极电流下降率较高，即存在较高的dioff/dt，在杂散电感两端感应出电动势，方向与直流母线电压一
2024-07-26 10:03
在动态关断过程中，器件内部所发生的由电流控制的受自由载流子浓度影响的碰撞电离现象。
2019-10-07 16:05
多阶段驱动方法就是将IGBT开通关断过程分段控制，对不同的阶段采取不同的控制方法，这样就可以尽量减小因为控制而造成的开关延时和开关损耗，从而在实现相同控制目标的条件下，由更短的开关时间和更小的开关损耗。
2019-10-07 11:48
晶闸管，作为电力电子领域的关键元件，其导通与关断的特性对于电路的稳定运行至关重要。在实际应用中，理解晶闸管如何从导通状态转变为关断状态，不仅有助于优化电路设计，还能有效防止因误操作导致的设备损坏。本文将从晶闸管的基本原理出发，详细阐述其由导通变为
2024-05-27 15:11
总结一下，对于米勒电流引起的寄生导通，在0V关断的情况下，可以使用米勒钳位来抑制。当出现非米勒电流引起的寄生导通时，如果不想减慢开关速度增加损耗的话，加个负压会是一个极其便利的手段。
2022-05-12 11:57
