• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 关于对IGBT关断过程的分析

    上一篇,我们写了基于感性负载下,IGBT的开通过程,今天,我们就IGBT关断过程进行一个叙述。对于IGBT

    2023-02-22 15:21

  • IGBT串联均压方法

    针对IGBT串联应用中关断过程均压问题,对IGBT关断过程进行了详细分析,总结出影响IGBT

    2018-03-08 11:29

  • 断过程及分类

    一、中断原理1、概念中断是指计算机运行过程中,出现某些意外情况需主机干预时,机器能自动停止正在运行的程序并转入处理新情况的程序,处理完毕后又返回原被暂停的程序继续运行。2、中断过程程序运行过程

    2021-08-13 07:47

  • STM32中断过程包括哪些部分

    一、中断介绍1.中断概念中断是指计算机运行过程中,出现某些意外情况需主机干预时,机器能自动停止正在运行的程序并转入处理新情况的程序,处理完毕后又返回原被暂停的程序继续运行。2.中断过程中断过程包括

    2022-02-10 06:33

  • IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究

    IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究

    2013-06-11 16:00

  • IGBT 系统设计

    ,还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i  IGBT关断过程  IGBT关断过程中,漏极电流的波形变为两段。第一段是按照MOS管

    2011-08-17 09:26

  • igbt的驱动电路

    VCE为15V,IGBT导通。当HCPL-316J输出端VOUT输出为低电平时,上管(T1)截止,下管(T1)导通,VCE为-9V,IGBT关断。以上就是IGBT的开

    2008-10-21 09:38

  • 导通损耗和关断损耗的相关资料推荐

    和计算开关损耗,并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程,以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关损耗1,通过过程

    2021-10-29 08:43

  • IGBT缓冲吸收电路的详细资料研究

    为提高电动汽车双向功率变换器的工作效率和使用寿命 , 提出双 IGBT缓冲吸收电路。针对双 RCD型缓冲吸收电路 , 详述了 IGBT关断过程 C - E端过电压产生的原因 , 给出了电路缓冲电容

    2020-12-03 08:00

  • IGBT驱动电路

    管(T1)截止,下管(T1)导通,VCE为-9V,IGBT关断。以上就是IGBT的开通关断过程。 结语   IGBT对驱

    2012-09-09 12:22