BJT 是一种电流控制型器件, 发射极e和集电极c传导的工作电流受基极b引入的较小电流的控制, 如等效电路所示, BJT受MOSFET漏极电流控制. 在IGBT关断td(off)和Δt 程中
2018-12-22 12:41
在光伏逆变器等大功率应用场合，主电路(直流电容到IGBT模块间)存在较大杂散电感(几十到数百nH)。IGBT关断时，集电极电流下降率较高，即存在较高的dioff/dt，在杂散电感两端感应出电动势，方向与直流母线电压一
2024-07-26 10:03
建筑工程施工现场临时用电动画演示，包括十五个方面的内容
2019-07-29 09:00
在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06
总结一下，对于米勒电流引起的寄生导通，在0V关断的情况下，可以使用米勒钳位来抑制。当出现非米勒电流引起的寄生导通时，如果不想减慢开关速度增加损耗的话，加个负压会是一个极其便利的手段。
2022-05-12 11:57
IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT
2017-06-05 15:43
多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断
2017-05-14 10:09
IGBT栅极负偏电压—UGE直接影响其可靠运行，负偏电压升高时集电极的浪涌电流明显下降，对关断能耗无显著的影响。—UGE与集电极浪涌电流和关断能耗Eoff的关系分别如图2（a）和（b）所示。栅极电阻
2017-05-16 09:05
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为
2023-01-10 09:05
在基区N-进行电导调制，从而降低IGBT在大电流条件下的导通压降。 IGBT通过其FET结构控制在基区的载流子（电子和空穴），从而控制IGBT的导通和关断。
2023-01-17 13:59
