igbt保护电路 短路保护电路的设计:由对
2008-10-21 01:19
igbt保护电路短路保护电路的设计:由对图1所示电路的分析,可以得到
2008-10-21 01:19
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS
2011-08-23 14:11
2012-02-29 20:36
IGBT失效场合：来自系统内部，如电力系统分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变都会引起过电压和过电流；来自系统外部，如电网波动、电力线感应、浪涌等。归根结底，IGBT失效主要是由集电极和发射极的过压/过流和栅极的过压/过流引起。
2019-09-02 09:40
使用IGBT首要注意的是过流保护,产生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损 坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。针对这些原因该如何设
2019-02-14 14:26
利用电流传感器进行过流检测的IGBT保护电路 图8是利用电流传感器进行过流检测
2009-01-21 13:14
IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差
2017-12-10 11:46
本资料的主要内容详细介绍了IGBT相关使用指南，包括用于IGBT驱动的集成芯片TLP250、EXB8..Series等芯片的结构简图，典型特征和使用方法；IGBT保护
2019-03-05 14:30
本资料的主要内容详细介绍了IGBT相关使用指南，包括用于IGBT驱动的集成 芯片 TLP250、EXB8..Series等芯片的结构简图，典型特征和使用方法；IGBT保护
2019-04-11 16:49
