碳化硅MOS优点：高频高效，高耐压，高可靠性。可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。
2023-04-12 09:45
MOSFET 的优点是较高的开关频率，可以工作在百 kHz 到 MHz 之间；缺点是耐压低，在高电压、大电流应用中损耗非常大，因而限制了其应用。IGBT 的优点是导通压降小、耐压高，输出功率可到
2018-07-26 15:54
IGBT IPM结合了IGBT的高效能和高电流承载能力以及IPM的智能化控制与保护特性，其优点可以总结如下： 集成度高： IGBT IPM将多个
2024-02-23 10:50
IGBT-IPM是一种集成电力模块，它由一个IGBT（可控硅反激开关）和一个IPM（智能功率模块）组成。它可以用于控制电机、变频器、变压器等电力电子设备，以实现高效、精确的控制。
2023-02-20 15:30
IGBT单管和IGBT模块的控制电路是一样的，它们的作用和工作原理基本一样，IGBT模块可以看成是多个IGBT单管集成的模块。I
2017-05-14 15:02
IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动
2023-02-17 16:40
半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上
2023-12-18 09:40
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
2017-05-10 16:37
绝缘栅双极晶体管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等优点，在电力电子领域得到了广泛应用
2024-08-14 16:42
