等效的多数载流子MOSFET关断时，在IGBT少数载流子BJT中仍存在存储时间延迟td(off)I。不过，降低Eoff驱动阻抗将会减少米勒电容 (Miller capa
2018-08-27 20:50
Eoff能耗降低。降低栅极驱动关断阻抗对减小IGBT Eoff损耗影响极微。如图1所示，当等效的多数载流子MOSFET关断时，在IGBT少数载流子BJT
2017-04-15 15:48
，降低了88%。还有重要的一点是IGBT的尾电流随温度升高而增加。顺便提一下，SiC-MOSFET的高速驱动需要适当调整外置的栅极电阻Rg。这在前文“与Si-MOSFET
2018-12-03 14:29
能耗降低。降低栅极驱动关断阻抗对减小IGBT Eoff损耗影响极微。如图1所示，当等效的多数载流子MOSFET关断时，在IGBT少数载流子BJT
2021-06-16 09:21
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要
2023-02-27 16:03
电机控制中的MOSFET和IGBT基础知识当前的发动机越来越倾向于电子控制，相对于通过直接连接到相应电源（无论是直流源还是交流源）的做法来说，这种方式可以提供更好的控制速度、位置以及扭矩，以及更高
2016-01-27 17:22
器件时应考虑这测试条件中的VDD，因为在较低的VDD钳位电压下进行测试和工作将导致Eoff能耗降低。降低栅极驱动关断阻抗对减小IGBT Eoff损耗影响极微。如图1所示，当等效的多数载流子
2019-03-06 06:30
的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：详细的讲解，见附件。。。。。。MOSFET和IGBT 硬件驱动电路对比讲解1、MOSFE作为大功率器件的
2021-03-02 13:47
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
栅极驱动关断阻抗对减小IGBT Eoff损耗影响极微。如图1所示，当等效的多数载流子MOSFET关断时，在IGBT少数载流子BJT
2020-06-28 15:16
